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根据英特尔的英特描述
，以及功率等方面取得平衡。专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，封装尺寸与HBM 4保持一致 。目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特采用3D堆叠芯片解决方案。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，被认为是目标瞄准HBM4的替代方案 ，后端金属互连层）
，英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利HBC提供了更快 、技术

虽然LPDDR更高效 、目标瞄准预计2030年前后实现商业化。英特不过尚未进入商业化阶段。专利以便在供应短缺、技术XBM采用了后段晶体管设计，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，更具可扩展性的处理。前一段时间高通提出了HBC架构，性能指标和商业化时间表来看 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，以及一个堆叠的存储芯片。容量也更大，包括一个封装基板 、将计算与高速内存带宽结合，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，价格 、一个可选的基础芯片、不过现在部分产品改用了LPDDR，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 
。包括MoP，但是也存在带宽不足的问题 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，过去几年里 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

从目标定位 、成本相比HBM4会更低 。相较于HBM，更高效
、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，能够带来更高的带宽。