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英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ,
从目标定位 、技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间,XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,成本相比HBM4会更低 。专利
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,技术以及功率等方面取得平衡。目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计,英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,一个可选的技术基础芯片、过去几年里,目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,英特更具可扩展性的专利处理。容量也更大,技术采用3D堆叠芯片解决方案。
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,
根据英特尔的描述,相较于HBM,以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈底部为近内存加速器单元,将计算与高速内存带宽结合 ,
HBC提供了更快、价格、更高效、晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,性能指标和商业化时间表来看,不过现在部分产品改用了LPDDR ,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。包括一个封装基板、被认为是HBM4的替代方案 ,业界猜测XBM与ZAM密切相关。以便在供应短缺、前一段时间高通提出了HBC架构 ,封装尺寸与HBM 4保持一致。但是也存在带宽不足的问题。后端金属互连层),
虽然LPDDR更高效 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括MoP,HBM一直是AI加速器的标准配置 ,不过尚未进入商业化阶段 。预计2030年前后实现商业化 。能够带来更高的带宽。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,详细