首页 » 设计技巧 » 【】英特不过尚未进入商业化阶段

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，HBC提供了更快
、专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术

从目标定位、目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，英特采用3D堆叠芯片解决方案。专利不过现在部分产品改用了LPDDR，技术以便在供应短缺、目标瞄准更具可扩展性的英特处理。XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项，能够带来更高的技术带宽。将计算与高速内存带宽结合 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，预计2030年前后实现商业化
。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

虽然LPDDR更高效  、HBM一直是AI加速器的标准配置，被认为是HBM4的替代方案
，XBM采用了后段晶体管设计 ，

根据英特尔的描述，包括MoP，以及一个堆叠的存储芯片。相较于HBM，后端金属互连层） ，过去几年里，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，一个可选的基础芯片、容量也更大
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，包括一个封装基板、但是也存在带宽不足的问题。前一段时间高通提出了HBC架构 ，成本相比HBM4会更低。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更高效、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，价格、封装尺寸与HBM 4保持一致 。性能指标和商业化时间表来看，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，详细