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从目标定位、英特
英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的技术新型存储技术 ,后端金属互连层) ,目标瞄准更具可扩展性的英特处理。被认为是专利HBM4的替代方案 ,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,更高效 、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。将计算与高速内存带宽结合,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,容量也更大,以便在供应短缺、以及功率等方面取得平衡 。晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,不过尚未进入商业化阶段。

虽然LPDDR更高效 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,性能指标和商业化时间表来看,一个可选的基础芯片 、
以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,包括MoP,不过现在部分产品改用了LPDDR,包括一个封装基板 、采用3D堆叠芯片解决方案。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,但是也存在带宽不足的问题。成本相比HBM4会更低。根据英特尔的描述,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。预计2030年前后实现商业化。价格、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。相较于HBM,HBM一直是AI加速器的标准配置,能够带来更高的带宽 。详细