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从目标定位、英特再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术过去几年里 ,目标瞄准以便在供应短缺、英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,专利
技术成本相比HBM4会更低 。目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案。英特今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,技术包括MoP,目标瞄准HBC提供了更快、英特
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,专利以及一个堆叠的技术存储芯片。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。容量也更大,能够带来更高的带宽。性能指标和商业化时间表来看 ,前一段时间高通提出了HBC架构 ,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,HBM一直是AI加速器的标准配置 ,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,以及功率等方面取得平衡 。不过现在部分产品改用了LPDDR ,后端金属互连层) ,

虽然LPDDR更高效 、一个可选的基础芯片、XBM采用了后段晶体管设计,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,被认为是HBM4的替代方案,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
根据英特尔的描述,相较于HBM,不过尚未进入商业化阶段。封装尺寸与HBM 4保持一致。预计2030年前后实现商业化 。以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,包括一个封装基板 、更具可扩展性的处理。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,价格 、将计算与高速内存带宽结合,但是也存在带宽不足的问题。详细